•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

A Diamond:H/MoO<sub>3</sub> MOSFET

نویسنده:
Vardi, Alon
,
Tordjman, Maurice
,
del Alamo, Jesus /A/.
,
Kalish, Rafi
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/LED.2014.2364832
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1147358
کلیدواژه(گان): MOSFET,diamond,molybdenum compounds,semiconductor doping,2D hole gas,drain-current ON-OFF ratio,gate control,gate insulator,gate length devices,heterointerface,heterostructure system,hydrogenated-diamond transfer doping,maximum transconductance,p-type MOSFET,potentially-improved temperature stability,size 3.5 mum,Conductivity,Diamonds,Doping,Logic gates,MOSFET,Surface treatment,Diamond:H,Diamond:H, MoO_{3},MOSFET,MoO3,surface transfer doping
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    A Diamond:H/MoO&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt; MOSFET

Show full item record

contributor authorVardi, Alon
contributor authorTordjman, Maurice
contributor authordel Alamo, Jesus /A/.
contributor authorKalish, Rafi
date accessioned2020-03-13T00:27:17Z
date available2020-03-13T00:27:17Z
date issued2014
identifier issn0741-3106
identifier other6936920.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1147358
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleA Diamond:H/MoO<sub>3</sub> MOSFET
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8330302
subject keywordsMOSFET
subject keywordsdiamond
subject keywordsmolybdenum compounds
subject keywordssemiconductor doping
subject keywords2D hole gas
subject keywordsdrain-current ON-OFF ratio
subject keywordsgate control
subject keywordsgate insulator
subject keywordsgate length devices
subject keywordsheterointerface
subject keywordsheterostructure system
subject keywordshydrogenated-diamond transfer doping
subject keywordsmaximum transconductance
subject keywordsp-type MOSFET
subject keywordspotentially-improved temperature stability
subject keywordssize 3.5 mum
subject keywordsConductivity
subject keywordsDiamonds
subject keywordsDoping
subject keywordsLogic gates
subject keywordsMOSFET
subject keywordsSurface treatment
subject keywordsDiamond:H
subject keywordsDiamond:H, MoO_{3}
subject keywordsMOSFET
subject keywordsMoO3
subject keywordssurface transfer doping
identifier doi10.1109/LED.2014.2364832
journal titleElectron Device Letters, IEEE
journal volume35
journal issue12
filesize555654
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace