•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Enhanced Operation Characteristics in Poly-Si Nanowire Charge-Trapping Flash Memory Device With SiGe Buried Channel

نویسنده:
Chun-Yuan Chen
,
Kuei-Shu Chang-Liao
,
Li-Jung Liu
,
Wei-Chieh Chen
,
Tien-Ko Wang
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/LED.2014.2348714
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1143756
کلیدواژه(گان): Ge-Si alloys,elemental semiconductors,flash memories,nanowires,random-access storage,silicon,tunnelling,3D nonvolatile memory application,CT,NW,Si-SiGe,buried channel,enhanced operation characteristics,polySi nanowire charge-trapping flash memory device,polycrystalline silicon,retention performances,tunneling layer,Ash,Logic gates,Performance evaluation,Programming,Silicon germanium,Tunneling,3D NVM,SiGe buried channel,charge-trapping (CT) flash memory,poly-Si,siGe bur
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Enhanced Operation Characteristics in Poly-Si Nanowire Charge-Trapping Flash Memory Device With SiGe Buried Channel

Show full item record

contributor authorChun-Yuan Chen
contributor authorKuei-Shu Chang-Liao
contributor authorLi-Jung Liu
contributor authorWei-Chieh Chen
contributor authorTien-Ko Wang
date accessioned2020-03-13T00:21:33Z
date available2020-03-13T00:21:33Z
date issued2014
identifier issn0741-3106
identifier other6894156.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1143756
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleEnhanced Operation Characteristics in Poly-Si Nanowire Charge-Trapping Flash Memory Device With SiGe Buried Channel
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8326394
subject keywordsGe-Si alloys
subject keywordselemental semiconductors
subject keywordsflash memories
subject keywordsnanowires
subject keywordsrandom-access storage
subject keywordssilicon
subject keywordstunnelling
subject keywords3D nonvolatile memory application
subject keywordsCT
subject keywordsNW
subject keywordsSi-SiGe
subject keywordsburied channel
subject keywordsenhanced operation characteristics
subject keywordspolySi nanowire charge-trapping flash memory device
subject keywordspolycrystalline silicon
subject keywordsretention performances
subject keywordstunneling layer
subject keywordsAsh
subject keywordsLogic gates
subject keywordsPerformance evaluation
subject keywordsProgramming
subject keywordsSilicon germanium
subject keywordsTunneling
subject keywords3D NVM
subject keywordsSiGe buried channel
subject keywordscharge-trapping (CT) flash memory
subject keywordspoly-Si
subject keywordssiGe bur
identifier doi10.1109/LED.2014.2348714
journal titleElectron Device Letters, IEEE
journal volume35
journal issue10
filesize500891
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace