•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Study of Photocurrent Enhancement Dependence on Background Doping in Quantum Dot Solar Cells by Numerical Simulations

نویسنده:
Ce&#x0301
,
dola, Ariel
,
Gioannini, Mariangela
,
Cappelluti, F.
,
Cappelletti, Marcelo
,
Peltzer y Blanca, Eitel
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/TLA.2014.6872907
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1141239
کلیدواژه(گان): III-V semiconductors,gallium arsenide,indium compounds,numerical analysis,semiconductor doping,semiconductor quantum dots,solar cells,GaAs,InAs,background doping,cell intrinsic region,device power conversion efficiency,donor doping density,doping level,fabrication process,numerical simulation,photocurrent enhancement dependence,quantum dot contribution,quantum dot solar cells,Gallium arsenide,Photoconductivity,Photonic band gap,Photovoltaic cells,Quantum dots,Radiative re
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Study of Photocurrent Enhancement Dependence on Background Doping in Quantum Dot Solar Cells by Numerical Simulations

Show full item record

contributor authorCé
contributor authordola, Ariel
contributor authorGioannini, Mariangela
contributor authorCappelluti, F.
contributor authorCappelletti, Marcelo
contributor authorPeltzer y Blanca, Eitel
date accessioned2020-03-13T00:17:23Z
date available2020-03-13T00:17:23Z
date issued2014
identifier issn1548-0992
identifier other6872907.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1141239
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleStudy of Photocurrent Enhancement Dependence on Background Doping in Quantum Dot Solar Cells by Numerical Simulations
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8323669
subject keywordsIII-V semiconductors
subject keywordsgallium arsenide
subject keywordsindium compounds
subject keywordsnumerical analysis
subject keywordssemiconductor doping
subject keywordssemiconductor quantum dots
subject keywordssolar cells
subject keywordsGaAs
subject keywordsInAs
subject keywordsbackground doping
subject keywordscell intrinsic region
subject keywordsdevice power conversion efficiency
subject keywordsdonor doping density
subject keywordsdoping level
subject keywordsfabrication process
subject keywordsnumerical simulation
subject keywordsphotocurrent enhancement dependence
subject keywordsquantum dot contribution
subject keywordsquantum dot solar cells
subject keywordsGallium arsenide
subject keywordsPhotoconductivity
subject keywordsPhotonic band gap
subject keywordsPhotovoltaic cells
subject keywordsQuantum dots
subject keywordsRadiative re
identifier doi10.1109/TLA.2014.6872907
journal titleLatin America Transactions, IEEE (Revista IEEE America Latina)
journal volume12
journal issue5
filesize919409
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace