•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Statistical Fluctuations in HfO<sub><italic><bold>x</bold></italic></sub> Resistive-Switching Memory: Part I - Set/Reset Variability

نویسنده:
Ambrogio, Stefano
,
Balatti, S.
,
Cubeta, A.
,
Calderoni, Alessandro
,
Ramaswamy, Nirmal
,
Ielmini, Daniele
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/TED.2014.2330200
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1137899
کلیدواژه(گان): Monte Carlo methods,hafnium compounds,insulating thin films,random-access storage,statistical distributions,CF 1-D structure,HfO<,sub>,x<,/sub>,RRAM,cell designing,cell downscaling,conductive filament,defect discrete nature,discrete fluctuation events,physics-based Monte Carlo model,programming operations,reset state distribution,resistive-switching memory,set state distribution,set-reset variability,statistical fluctuations,statistical variability,switching statist
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Statistical Fluctuations in HfO&lt;sub&gt;&lt;italic&gt;&lt;bold&gt;x&lt;/bold&gt;&lt;/italic&gt;&lt;/sub&gt; Resistive-Switching Memory: Part I - Set/Reset Variability

Show full item record

contributor authorAmbrogio, Stefano
contributor authorBalatti, S.
contributor authorCubeta, A.
contributor authorCalderoni, Alessandro
contributor authorRamaswamy, Nirmal
contributor authorIelmini, Daniele
date accessioned2020-03-13T00:11:54Z
date available2020-03-13T00:11:54Z
date issued2014
identifier issn0018-9383
identifier other6847211.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1137899
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleStatistical Fluctuations in HfO<sub><italic><bold>x</bold></italic></sub> Resistive-Switching Memory: Part I - Set/Reset Variability
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8319885
subject keywordsMonte Carlo methods
subject keywordshafnium compounds
subject keywordsinsulating thin films
subject keywordsrandom-access storage
subject keywordsstatistical distributions
subject keywordsCF 1-D structure
subject keywordsHfO<
subject keywordssub>
subject keywordsx<
subject keywords/sub>
subject keywordsRRAM
subject keywordscell designing
subject keywordscell downscaling
subject keywordsconductive filament
subject keywordsdefect discrete nature
subject keywordsdiscrete fluctuation events
subject keywordsphysics-based Monte Carlo model
subject keywordsprogramming operations
subject keywordsreset state distribution
subject keywordsresistive-switching memory
subject keywordsset state distribution
subject keywordsset-reset variability
subject keywordsstatistical fluctuations
subject keywordsstatistical variability
subject keywordsswitching statist
identifier doi10.1109/TED.2014.2330200
journal titleElectron Devices, IEEE Transactions on
journal volume61
journal issue8
filesize4660683
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace