•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Output-Conductance Transition-Free Method for Improving the Radio-Frequency Linearity of Silicon-on-Insulator MOSFET Circuits

نویسنده:
Daghighi, Arash
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/TED.2014.2321419
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1132953
کلیدواژه(گان): MOSFET circuits,UHF amplifiers,fast Fourier transforms,harmonic distortion,intermodulation distortion,low noise amplifiers,silicon-on-insulator,3D numerical analysis,CBC LNAs,PD-SOI MOSFET circuits,RF circuits,TF SOI LNAs,TF body resistance extraction,TF circuit,THD,body-contacted devices,circuit SPICE models,conventional body-contacted LNAs,device carrier transport equations,fast Fourier transform,frequency 2.4 GHz,harmonic distortion figures,low-noise amplifier,mixed-mod
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Output-Conductance Transition-Free Method for Improving the Radio-Frequency Linearity of Silicon-on-Insulator MOSFET Circuits

Show full item record

contributor authorDaghighi, Arash
date accessioned2020-03-13T00:03:39Z
date available2020-03-13T00:03:39Z
date issued2014
identifier issn0018-9383
identifier other6815967.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1132953
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleOutput-Conductance Transition-Free Method for Improving the Radio-Frequency Linearity of Silicon-on-Insulator MOSFET Circuits
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8314030
subject keywordsMOSFET circuits
subject keywordsUHF amplifiers
subject keywordsfast Fourier transforms
subject keywordsharmonic distortion
subject keywordsintermodulation distortion
subject keywordslow noise amplifiers
subject keywordssilicon-on-insulator
subject keywords3D numerical analysis
subject keywordsCBC LNAs
subject keywordsPD-SOI MOSFET circuits
subject keywordsRF circuits
subject keywordsTF SOI LNAs
subject keywordsTF body resistance extraction
subject keywordsTF circuit
subject keywordsTHD
subject keywordsbody-contacted devices
subject keywordscircuit SPICE models
subject keywordsconventional body-contacted LNAs
subject keywordsdevice carrier transport equations
subject keywordsfast Fourier transform
subject keywordsfrequency 2.4 GHz
subject keywordsharmonic distortion figures
subject keywordslow-noise amplifier
subject keywordsmixed-mod
identifier doi10.1109/TED.2014.2321419
journal titleElectron Devices, IEEE Transactions on
journal volume61
journal issue7
filesize2356184
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace