•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Fast 3-D Electrothermal Device/Circuit Simulation of Power Superjunction MOSFET Based on SDevice and HSPICE Interaction

نویسنده:
Chvala, Ales
,
Donoval, Daniel
,
Marek, Jiri
,
Pribytny, Patrik
,
Molnar, Miklos
,
Mikolasek, M.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/TED.2014.2305848
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1125055
کلیدواژه(گان): SPICE,power MOSFET,technology CAD (electronics),HSPICE,SDevice,Synopsys TCAD Sentaurus environment,equivalent thermal 3-D RC network,fast 3-D electrothermal device/circuit simulation,power superjunction MOSFET,relaxation method,unclamped inductive switching test,Finite element analysis,Integrated circuit modeling,MOSFET,Relaxation methods,Semiconductor device modeling,Semiconductor process modeling,Solid modeling,3-D electrothermal simulation,HSPICE,SDevice,superjunction MOS
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Fast 3-D Electrothermal Device/Circuit Simulation of Power Superjunction MOSFET Based on SDevice and HSPICE Interaction

Show full item record

contributor authorChvala, Ales
contributor authorDonoval, Daniel
contributor authorMarek, Jiri
contributor authorPribytny, Patrik
contributor authorMolnar, Miklos
contributor authorMikolasek, M.
date accessioned2020-03-12T23:50:10Z
date available2020-03-12T23:50:10Z
date issued2014
identifier issn0018-9383
identifier other6755550.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1125055
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleFast 3-D Electrothermal Device/Circuit Simulation of Power Superjunction MOSFET Based on SDevice and HSPICE Interaction
typeJournal Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8304649
subject keywordsSPICE
subject keywordspower MOSFET
subject keywordstechnology CAD (electronics)
subject keywordsHSPICE
subject keywordsSDevice
subject keywordsSynopsys TCAD Sentaurus environment
subject keywordsequivalent thermal 3-D RC network
subject keywordsfast 3-D electrothermal device/circuit simulation
subject keywordspower superjunction MOSFET
subject keywordsrelaxation method
subject keywordsunclamped inductive switching test
subject keywordsFinite element analysis
subject keywordsIntegrated circuit modeling
subject keywordsMOSFET
subject keywordsRelaxation methods
subject keywordsSemiconductor device modeling
subject keywordsSemiconductor process modeling
subject keywordsSolid modeling
subject keywords3-D electrothermal simulation
subject keywordsHSPICE
subject keywordsSDevice
subject keywordssuperjunction MOS
identifier doi10.1109/TED.2014.2305848
journal titleElectron Devices, IEEE Transactions on
journal volume61
journal issue4
filesize1625504
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace