•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Highly scalable bulk FinFET Devices with Multi-V<inf>T</inf> options by conductive metal gate stack tuning for the 10-nm node and beyond

نویسنده:
Ragnarsson, L.-A. , Chew, S.A. , Dekkers, H. , Luque, M.T. , Parvais, B. , De Keersgieter, A. , Devriendt, K. , Van Ammel, A. , Schram, T. , Yoshida, N. , Phatak, A. , Han, K. , Colombeau, B. , Brand, A. , Horiguchi, N. , Thean, A.V.-Y.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/IGARSS.2014.6947118
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1112901
کلیدواژه(گان): ecology,radiative transfer,radiometry,solar radiation,vegetation,FPAR retrieval,MODIS apparent top-of-atmosphere reflectance,MODIS product,SAIL model homogenous canopy,TOA reflectance linear equation,abstracted photosynthetically active radiation fraction,atmosphere condition,atmosphere radiative transfer model simulated dataset,canopy radiative transfer model simulated dataset,canopy structure,direct algorithm,ecosystem productivity model,estimated FPAR product,forest canopy
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Highly scalable bulk FinFET Devices with Multi-V&lt;inf&gt;T&lt;/inf&gt; options by conductive metal gate stack tuning for the 10-nm node and beyond

Show full item record

date accessioned2020-03-12T23:28:20Z
date available2020-03-12T23:28:20Z
date issued2014
identifier other6894359.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1112901
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleHighly scalable bulk FinFET Devices with Multi-V<inf>T</inf> options by conductive metal gate stack tuning for the 10-nm node and beyond
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8281880
subject keywordsecology
subject keywordsradiative transfer
subject keywordsradiometry
subject keywordssolar radiation
subject keywordsvegetation
subject keywordsFPAR retrieval
subject keywordsMODIS apparent top-of-atmosphere reflectance
subject keywordsMODIS product
subject keywordsSAIL model homogenous canopy
subject keywordsTOA reflectance linear equation
subject keywordsabstracted photosynthetically active radiation fraction
subject keywordsatmosphere condition
subject keywordsatmosphere radiative transfer model simulated dataset
subject keywordscanopy radiative transfer model simulated dataset
subject keywordscanopy structure
subject keywordsdirect algorithm
subject keywordsecosystem productivity model
subject keywordsestimated FPAR product
subject keywordsforest canopy
identifier doi10.1109/IGARSS.2014.6947118
journal titleLSI Technology (VLSI-Technology): Digest of Technical Papers, 2014 Symposium on
filesize972768
citations0
contributor rawauthorRagnarsson, L.-A. , Chew, S.A. , Dekkers, H. , Luque, M.T. , Parvais, B. , De Keersgieter, A. , Devriendt, K. , Van Ammel, A. , Schram, T. , Yoshida, N. , Phatak, A. , Han, K. , Colombeau, B. , Brand, A. , Horiguchi, N. , Thean, A.V.-Y.
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace