•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Cross-cultural mood regression for music digital libraries

نویسنده:
Hu, Xiao
,
Yang, Yi-Hsuan
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/IWJT.2014.6842037
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1068000
کلیدواژه(گان): IMPATT diodes,n numerical analysis,n silicon compounds,n wide band gap semiconductors,n IMPATT diodes,n SiC,n breakdown voltage,n dc-to-rf conversion efficiency,n drift zone voltage drop,n hole ionization rates,n impact avalanche transit time devices,n impact-ionization-avalanche-transit-time diodes,n lower electron rates,n numerical simulation,n one-dimensional current flow,n Charge carrier processes,n Integrated circuit modeling,n Ionization
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Cross-cultural mood regression for music digital libraries

Show full item record

contributor authorHu, Xiao
contributor authorYang, Yi-Hsuan
date accessioned2020-03-12T22:00:09Z
date available2020-03-12T22:00:09Z
date issued2014
identifier other6970230.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1068000
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleCross-cultural mood regression for music digital libraries
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8202939
subject keywordsIMPATT diodes
subject keywordsn numerical analysis
subject keywordsn silicon compounds
subject keywordsn wide band gap semiconductors
subject keywordsn IMPATT diodes
subject keywordsn SiC
subject keywordsn breakdown voltage
subject keywordsn dc-to-rf conversion efficiency
subject keywordsn drift zone voltage drop
subject keywordsn hole ionization rates
subject keywordsn impact avalanche transit time devices
subject keywordsn impact-ionization-avalanche-transit-time diodes
subject keywordsn lower electron rates
subject keywordsn numerical simulation
subject keywordsn one-dimensional current flow
subject keywordsn Charge carrier processes
subject keywordsn Integrated circuit modeling
subject keywordsn Ionization
identifier doi10.1109/IWJT.2014.6842037
journal titleigital Libraries (JCDL), 2014 IEEE/ACM Joint Conference on
filesize265610
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace