•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Device perspective of 2D materials beyond graphene

نویسنده:
Ye, Peide D.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/ICICDT.2014.6838606
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1066627
کلیدواژه(گان): MOSFET circuits,n SRAM chips,n integrated circuit design,n FinFET SRAM design,n FinFET cell configurations,n cell array,n cell width,n drive current,n fully-depleted behavior,n improved subthreshold slope,n mismatch,n periphery fin pitch,n planar bulk devices,n short-channel effects,n write assist techniques,n Computer architecture,n FinFETs,n High definition video,n Microprocessors,n Robustness,n SRAM cells,n FinFET,n SRAM,n V
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Device perspective of 2D materials beyond graphene

Show full item record

contributor authorYe, Peide D.
date accessioned2020-03-12T21:57:49Z
date available2020-03-12T21:57:49Z
date issued2014
identifier other6968159.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1066627
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleDevice perspective of 2D materials beyond graphene
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8200754
subject keywordsMOSFET circuits
subject keywordsn SRAM chips
subject keywordsn integrated circuit design
subject keywordsn FinFET SRAM design
subject keywordsn FinFET cell configurations
subject keywordsn cell array
subject keywordsn cell width
subject keywordsn drive current
subject keywordsn fully-depleted behavior
subject keywordsn improved subthreshold slope
subject keywordsn mismatch
subject keywordsn periphery fin pitch
subject keywordsn planar bulk devices
subject keywordsn short-channel effects
subject keywordsn write assist techniques
subject keywordsn Computer architecture
subject keywordsn FinFETs
subject keywordsn High definition video
subject keywordsn Microprocessors
subject keywordsn Robustness
subject keywordsn SRAM cells
subject keywordsn FinFET
subject keywordsn SRAM
subject keywordsn V
identifier doi10.1109/ICICDT.2014.6838606
journal titleanotechnology (IEEE-NANO), 2014 IEEE 14th International Conference on
filesize226811
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace