•  Persian
    • Persian
    • English
  •   ورود
  • دانشگاه فردوسی مشهد
  • |
  • مرکز اطلاع‌رسانی و کتابخانه مرکزی
    • Persian
    • English
  • خانه
  • انواع منابع
    • مقاله مجله
    • کتاب الکترونیکی
    • مقاله همایش
    • استاندارد
    • پروتکل
    • پایان‌نامه
  • راهنمای استفاده
View Item 
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  •   کتابخانه دیجیتال دانشگاه فردوسی مشهد
  • Fum
  • Articles
  • Latin Articles
  • View Item
  • همه
  • عنوان
  • نویسنده
  • سال
  • ناشر
  • موضوع
  • عنوان ناشر
  • ISSN
  • شناسه الکترونیک
  • شابک
جستجوی پیشرفته
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Efficiency improvement of Doherty power amplifiers using supply switching and gate bias modulation

نویسنده:
Modi, S.S. , Yanduru, N. , Balsara, P.
ناشر:
IEEE
سال
: 2014
شناسه الکترونیک: 10.1109/PVSC.2014.6925120
یو آر آی: http://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1006219
کلیدواژه(گان): III-V semiconductors,elemental semiconductors,gallium arsenide,indium compounds,silicon,solar cells,InGaP-GaAs-Si,active bottom cell,buffer architecture,buffer doping,concentrated photovoltaics,multijunction solar cells,optimal down selection,photon flux penetration,threading dislocation density,triple junction solar cells,Decision support systems,Gallium arsenide,Junctions,Photovoltaic systems,Silicon,III&,#x2013,V-on-Si,heteroepitaxy,solar cell design
کالکشن :
  • Latin Articles
  • نمایش متادیتا پنهان کردن متادیتا
  • آمار بازدید

    Efficiency improvement of Doherty power amplifiers using supply switching and gate bias modulation

Show full item record

contributor authorModi, S.S. , Yanduru, N. , Balsara, P.
date accessioned2020-03-12T20:13:00Z
date available2020-03-12T20:13:00Z
date issued2014
identifier other6857774.pdf
identifier urihttp://libsearch.um.ac.ir:80/fum/handle/fum/1006219
formatgeneral
languageEnglish
publisherIEEE
titleEfficiency improvement of Doherty power amplifiers using supply switching and gate bias modulation
typeConference Paper
contenttypeMetadata Only
identifier padid8127737
subject keywordsIII-V semiconductors
subject keywordselemental semiconductors
subject keywordsgallium arsenide
subject keywordsindium compounds
subject keywordssilicon
subject keywordssolar cells
subject keywordsInGaP-GaAs-Si
subject keywordsactive bottom cell
subject keywordsbuffer architecture
subject keywordsbuffer doping
subject keywordsconcentrated photovoltaics
subject keywordsmultijunction solar cells
subject keywordsoptimal down selection
subject keywordsphoton flux penetration
subject keywordsthreading dislocation density
subject keywordstriple junction solar cells
subject keywordsDecision support systems
subject keywordsGallium arsenide
subject keywordsJunctions
subject keywordsPhotovoltaic systems
subject keywordsSilicon
subject keywordsIII&
subject keywords#x2013
subject keywordsV-on-Si
subject keywordsheteroepitaxy
subject keywordssolar cell design
identifier doi10.1109/PVSC.2014.6925120
journal titleireless and Microwave Technology Conference (WAMICON), 2014 IEEE 15th Annual
filesize323918
citations0
  • درباره ما
نرم افزار کتابخانه دیجیتال "دی اسپیس" فارسی شده توسط یابش برای کتابخانه های ایرانی | تماس با یابش
DSpace software copyright © 2019-2022  DuraSpace