دراین پژوهش خواص الکترونی و اپتیکی ژرمنن در حضور و عدم حضور میدان الکتریکی خارجی با استفاده از محاسبات اصول اولیه بررسی شده است. محاسبات نشان می‌دهند که در حضور میدان الکتریکی انرژی گاف صفر است و با افزایش میدان گاف نواری ...

در این مطالعه به بررسی قدرت برهمکنش جفت کنندهی الکترون-فونون و ابررسانایی فونون-واسطه در گرافین و اثر تزریق حفره از طریق جایگزینی اتم کربن با اتم بور بر روی این خصوصیات،با استفاده از محاسبات اصول اولیه در چارچوب نظریه ی ...

اثر هیدروژن بر سیلیکون بی شکل بصورت نظری بررسی شده و نشان میدهد که هیدروژن باعث بستن باندهای آویزان سیلیکون بی شکل شده و هدایت آنها را افزایش میدهد.

Self-consistent Monte Carlo simulation are reported for GaN/SiC HFETs. Hot carrier scattering rates are

determined by fitting experimental ionisation coefficients and the doping character of GaN is obtained

from ...

The electron mobility of ZnS and ZnSe semiconductor compounds were calculated by using the

iteration method. We considered polar optical phonon scattering, deformation potential acoustic,

piezoelectric and ...

An ensemble Monte Carlo simulation is used to compare bulk electron transport in wurtzite phase GaInN, AlGaN and

AlInN materials. Electronic states within the conduction band valleys at theΓ, U and K are represented ...